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台积电与安谋拼制程预计2017年量产10nm

发布日期:2021-11-16 01:00浏览次数:
本文摘要:台积电与全球IP厂安谋(ARM)19日联合宣告,已完成首款使用台积电10纳米FinFET(鳍式场效晶体管)制程生产的多核心64位ARM架构处理器测试芯片。

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台积电与全球IP厂安谋(ARM)19日联合宣告,已完成首款使用台积电10纳米FinFET(鳍式场效晶体管)制程生产的多核心64位ARM架构处理器测试芯片。


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